超快光電探測器：UPD系列

UPD 系列超快光電探測器非常適用于從直流到 25 GHz 的光學波形測量。多種型號的上升時間短至 15 ps，光譜范圍覆蓋 170 至 2600 nm。

所有光電探測器都封裝在緊湊堅固的鋁合金外殼中，可使用電池或外部電源供電。

紫外擴展版的硅光電探測器是*一商業化覆蓋 170–1100 nm 光譜范圍的產品。

另一類獨特的紫外敏感型 InGaAs 光電探測器可用于探測 350–1700 nm 范圍內的激光脈沖，具有市面上最寬的光譜范圍和最高的響應速度。

*美的阻抗匹配和*先進的微波技術確保了無振鈴或偽影的脈沖形狀測量。用戶可選擇使用 50Ω 終端電阻以獲得最高速度，或使用高阻抗負載以獲得大信號，從而保證在各種應用中的最大靈活性。

配合我們的 BBA 系列寬帶高增益放大器，這些高速光電探測器是昂貴且復雜的雪崩光電二極管的理想替代方案。

UPD 系列高速光電探測器是激光與光子學研究*可或缺的工具。

特點：1、超高速運行；2、上升時間：最短 15 ps；3、帶寬：最高 25 GHz； 4、光譜范圍：170–2600 nm；5、緊湊設計、6、電池或外部電源供電

7、可選型號：自由空間光束、FC/PC 光纖插座或單模光纖尾纖、

應用

脈沖形狀測量、脈沖寬度測量、精確同步、模式拍頻監測、外差測量

新型號：

UPD-15-IR2-FC：超快 InGaAs PIN 光電探測器，上升時間 <15 ps，帶寬 >25 GHz，光譜范圍 800–1700 nm，FC/APC 光纖輸入

UPD-35-IR2-P / UPD-35-IR2-D：超快 InGaAs PIN 光電探測器，上升時間 <35 ps，帶寬 >10 GHz，光譜范圍 800–1700 nm，帶拋光或漫透射窗口

UPD-35-UVIR-P / UPD-35-UVIR-D：超快 InGaAs PIN 光電探測器，上升時間 <35 ps，帶寬 >10 GHz，光譜范圍 350–1700 nm

UPD-50-SP / UPD-50-SD / UPD-50-UD / UPD-50-UP：超快硅 PIN 光電探測器，上升時間 50 ps，下降時間 50 ps，帶寬 >7 GHz，光譜范圍 170–1100 nm 或 320–1100 nm，帶拋光或漫透射窗口

UPD-100-IR1-P：超快鍺光電探測器，上升時間 <100 ps，脈沖寬度（FWHM）300 ps，光譜范圍 400–2000 nm

UPD-3N-IR2-P：快速 InGaAs 光電探測器，紅外擴展至 2.1 μm，上升時間 150 ps

UPD-5N-IR2-P：快速 InGaAs 光電探測器，紅外擴展至 2.6 μm，上升時間 200 ps

UPD-50-UP 產品重點講解

UPD-50-UP 是 UPD 系列中的一款超快硅 PIN 光電探測器，具有以下突出特點：

1. 基本性能參數

參數           數值

上升時間       50 ps

下降時間       50 ps

帶寬           >7 GHz

光譜范圍       170–1100 nm

探測器類型   硅 PIN

窗口類型       拋光窗口（UP 中的 “P"）

2、產品優勢

紫外擴展能力：UPD-50-UP 的光譜范圍從 170 nm 開始，覆蓋深紫外到近紅外（170–1100 nm），這是普通硅探測器難以實現的。

高速響應：50 ps 的上升時間使其適用于皮秒級激光脈沖測量。

高帶寬：>7 GHz 的帶寬可以精確捕捉高速光信號細節。

窗口類型：拋光窗口（Polished Window）適用于需要高透射率和低散射的精密測量場景。

3. 適用場景

紫外激光脈沖形狀測量

高速光信號同步

模式拍頻監測

超快激光器輸出特性分析

4. 使用建議

為獲得最高速度，建議使用 50Ω 終端電阻。

如需大信號輸出，可使用高阻抗負載。

可配合 BBA 系列寬帶放大器使用，提高靈敏度。

5. 與其他 UPD-50 子型號的區別

型號       光譜范圍       窗口類型

UPD-50-SP   320–1100 nm 拋光

UPD-50-SD  320–1100 nm 漫透射

UPD-50-UD  170–1100 nm 漫透射

UPD-50-UP  170–1100 nm 拋光

因此，UPD-50-UP 是紫外擴展版本中采用拋光窗口的型號，適合需要寬光譜覆蓋和高透射率的應用。